1N648-1

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Spécifications

Modèle de produit

1N648-1
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 500V 400MA DO35
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

1N648-1.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1V @ 400mA
Tension - inverse (Vr) (max)

500V
Package composant fournisseur

DO-35
La vitesse

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries

-
Emballage

Bulk
Package / Boîte

DO-204AH, DO-35, Axial
Température d'utilisation - Jonction

-65°C ~ 175°C
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 500V 400mA Through Hole DO-35
Courant - fuite, inverse à Vr

50nA @ 500V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

400mA
Capacité à Vr, F

-

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Ce qui suit est des produits liés à "1N648-1".

1N6478-E3/96

La description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division

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