1N6080US

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Spécifications

Modèle de produit

1N6080US
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

1N6080US.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.5V @ 37.7A
Tension - inverse (Vr) (max)

100V
Package composant fournisseur

G-MELF (D-5C)
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

30ns
Emballage

Bulk
Package / Boîte

SQ-MELF, G
Température d'utilisation - Jonction

-65°C ~ 155°C
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 100V 2A Surface Mount G-MELF (D-5C)
Courant - fuite, inverse à Vr

10µA @ 100V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

2A
Capacité à Vr, F

-

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1N6096

La description: SCHOTTKY RECTIFIER

Fabricant: Microsemi

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