1N5809

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Spécifications

Modèle de produit

1N5809
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

1N5809.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

875mV @ 4A
Tension - inverse (Vr) (max)

100V
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

30ns
Emballage

Bulk
Package / Boîte

B, Axial
Température d'utilisation - Jonction

-65°C ~ 175°C
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

7 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 100V 3A Through Hole
Courant - fuite, inverse à Vr

5µA @ 100V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

3A
Capacité à Vr, F

60pF @ 10V, 1MHz

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "1N5809".

1N5807US

La description: DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF

Fabricant: Microsemi

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