1N5419E3

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Spécifications

Modèle de produit

1N5419E3
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1N5419E3.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

3A
Tension - Ventilation

-
Séries

-
État RoHS

Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F

-
Polarisation

B, Axial
Température d'utilisation - Jonction

250ns
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Référence fabricant

1N5419E3
Description élargie

Diode Standard 500V 3A Through Hole
Configuration diode

1µA @ 500V
La description

DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL
Courant - fuite, inverse à Vr

1.5V @ 9A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

500V
Capacité à Vr, F

-65°C ~ 175°C

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1N5518BUR-1

La description: ZENER DIODE

Fabricant: Microsemi

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