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37909531N484B imageMicrosemi Corporation

1N484B

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Spécifications
  • Modèle de produit
    1N484B
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Tension - Inverse de crête (max)
    Standard
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    200mA
  • Tension - Ventilation
    DO-35
  • Séries
    -
  • État RoHS
    Bulk
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Résistance @ Si, F
    -
  • Polarisation
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Référence fabricant
    1N484B
  • Description élargie
    Diode Standard 125V 200mA Through Hole DO-35
  • Configuration diode
    25nA @ 125V
  • La description
    DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    1V @ 100mA
  • Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)
    125V
  • Capacité à Vr, F
    -65°C ~ 200°C
0805J1000131KQT

0805J1000131KQT

La description: CAP CER 130PF 100V C0G/NP0 0805

Fabricant: Knowles Syfer
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