1N4150-1

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Spécifications

Modèle de produit

1N4150-1
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

1N4150-1.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1V @ 200mA
Tension - inverse (Vr) (max)

50V
Package composant fournisseur

DO-35
La vitesse

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

4ns
Emballage

Bulk
Package / Boîte

DO-204AH, DO-35, Axial
Température d'utilisation - Jonction

-65°C ~ 175°C
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

6 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 50V 200mA Through Hole DO-35
Courant - fuite, inverse à Vr

100nA @ 50V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

200mA
Capacité à Vr, F

-

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livraison
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1N4150TAP

La description: DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay

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