1N3611

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Spécifications

Modèle de produit

1N3611
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

1N3611.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.1V @ 1A
Tension - inverse (Vr) (max)

200V
La vitesse

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries

-
Emballage

Bulk
Package / Boîte

A, Axial
Température d'utilisation - Jonction

-65°C ~ 175°C
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

7 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 200V 1A Through Hole
Courant - fuite, inverse à Vr

1µA @ 200V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

1A
Capacité à Vr, F

-
Numéro de pièce de base

1N3611

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Ce qui suit est des produits liés à "1N3611".

1N3595

La description: DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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