UMH1N-TP

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Spécifications

Modèle de produit

UMH1N-TP
Fabricant / marque

Micro Commercial Components (MCC)
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT363
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

UMH1N-TP.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur

SOT-363
Séries

-
Résistance - Base de l'émetteur (R2)

22 kOhms
Résistance - Base (R1)

22 kOhms
Puissance - Max

150mW
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms

UMH1N-TPMSCT
UMH1NTP
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

14 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

250MHz
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-363
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

56 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA
Numéro de pièce de base

UMH1N

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UMH4NTN

La description:

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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