ES1B-TP

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Spécifications

Modèle de produit

ES1B-TP
Fabricant / marque

Micro Commercial Components (MCC)
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

ES1B-TP.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1A
Tension - Ventilation

DO-214AC (HSMA)
Séries

-
État RoHS

Digi-Reel®
Temps de recouvrement inverse (trr)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F

-
Polarisation

DO-214AC, SMA
Autres noms

ES1B-TPDKR
ES1BTP
Température d'utilisation - Jonction

50ns
Type de montage

Surface Mount
Référence fabricant

ES1B-TP
Description élargie

Diode Standard 100V 1A Surface Mount DO-214AC (HSMA)
Configuration diode

5µA @ 100V
La description

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Courant - fuite, inverse à Vr

975mV @ 1A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

100V
Capacité à Vr, F

-50°C ~ 150°C

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Ce qui suit est des produits liés à "ES1B-TP".

ES1BL MHG

La description: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)

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