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VN0300L-G

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Spécifications

Modèle de produit

VN0300L-G
Fabricant / marque

Micrel / Microchip Technology
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

VN0300L-G.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-92-3
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2 Ohm @ 1A, 10V
Dissipation de puissance (max)

1W (Tc)
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

5 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 20V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 640mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

640mA (Tj)

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Ce qui suit est des produits liés à "VN0300L-G".

VN03(011Y)

La description: IC SMART PWR SSR HSIDE PENTAWAT5

Fabricant: STMicroelectronics

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