TP2435N8-G

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Spécifications

Modèle de produit

TP2435N8-G
Fabricant / marque

Micrel / Microchip Technology
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CH 350V 0.231A SOT89-3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

TP2435N8-G.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-243AA (SOT-89)
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

15 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max)

1.6W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-243AA
Autres noms

TP2435N8-G-ND
TP2435N8-GTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

18 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 25V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

3V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

350V
Description détaillée

P-Channel 350V 231mA (Tj) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-243AA (SOT-89)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

231mA (Tj)

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Ce qui suit est des produits liés à "TP2435N8-G".

C0805X822M8JACAUTO

La description: CAP CER 8200PF 10V U2J 0805

Fabricant: KEMET

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RFQ

Review (1)

Stal***e

2025/05/20

5.0

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