TN2510N8-G

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Spécifications

Modèle de produit

TN2510N8-G
Fabricant / marque

Micrel / Microchip Technology
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 100V 730MA SOT89-3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

TN2510N8-G.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-243AA (SOT-89)
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5 Ohm @ 750mA, 10V
Dissipation de puissance (max)

1.6W (Ta)
Emballage

Original-Reel®
Package / Boîte

TO-243AA
Autres noms

TN2510N8-GDKR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

5 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

125pF @ 25V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

3V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 730mA (Tj) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-243AA (SOT-89)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

730mA (Tj)

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54201-G0802LF

La description: HEADER BERGSTIK STR

Fabricant: Amphenol FCI

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RFQ

Review (1)

Stal***e

2025/05/20

5.0

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