TN2106N3-G

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Spécifications

Modèle de produit

TN2106N3-G
Fabricant / marque

Micrel / Microchip Technology
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

TN2106N3-G.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-92-3
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max)

740mW (Tc)
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

5 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

N-Channel 60V 300mA (Tj) 740mW (Tc) Through Hole TO-92-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

300mA (Tj)

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Ce qui suit est des produits liés à "TN2106N3-G".

TN22-1500R

La description: SCR LAMP STARTER

Fabricant: STMicroelectronics

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