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DS28E25G+T

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Spécifications
  • Modèle de produit
    DS28E25G+T
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC EEPROM 4K 1WIRE 2SFN
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    2.97 V ~ 3.63 V
  • La technologie
    EEPROM
  • Package composant fournisseur
    2-SFN (6x6)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    2-SFN
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    4Kb (4K x 1)
  • Interface mémoire
    1-Wire®
  • Format de mémoire
    EEPROM
  • Délai de livraison standard du fabricant
    6 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    EEPROM Memory IC 4Kb (4K x 1) 1-Wire® 2µs 2-SFN (6x6)
  • Temps d'accès
    2µs
8N4DV85LC-0077CDI

8N4DV85LC-0077CDI

La description: IC OSC VCXO DUAL FREQ 6-CLCC

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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