CSD23202W10

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Spécifications

Modèle de produit

CSD23202W10
Fabricant / marque

Luminary Micro/Texas Instruments
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA
Vgs (Max)

-6V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

4-DSBGA (1x1)
Séries

NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

53 mOhm @ 500mA, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

1W (Ta)
Emballage

Original-Reel®
Package / Boîte

4-UFBGA, DSBGA
Autres noms

296-40000-6
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

512pF @ 6V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

3.8nC @ 4.5V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

1.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

12V
Description détaillée

P-Channel 12V 2.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

2.2A (Ta)

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CSD23203W

La description: MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA

Fabricant: Luminary Micro / Texas Instruments

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