CSD18536KCS

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Spécifications

Modèle de produit

CSD18536KCS
Fabricant / marque

Luminary Micro/Texas Instruments
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 60V 200A TO-220-3
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220-3
Séries

NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6 mOhm @ 100A, 10V
Dissipation de puissance (max)

375W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

296-47185
CSD18536KCS-ND
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

35 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

11430pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

108nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

N-Channel 60V 200A (Ta) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

200A (Ta)

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Fabricant: Texas Instruments

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