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CSD17308Q3T

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Spécifications
  • Modèle de produit
    CSD17308Q3T
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 30V 50A
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.8V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    +10V, -8V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
  • Séries
    NexFET™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10.3 mOhm @ 10A, 8V
  • Dissipation de puissance (max)
    2.7W (Ta), 28W (Tc)
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    8-PowerTDFN
  • Autres noms
    296-44075-1
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    35 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    700pF @ 15V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    5.1nC @ 4.5V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    3V, 8V
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    N-Channel 30V 14A (Ta), 44A (Tc) 2.7W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    14A (Ta), 44A (Tc)
5640100173F

5640100173F

La description: LED CBI 3MM 3X1 RED/ORN/YLW DIFF

Fabricant: Dialight
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