CSD16411Q3

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Spécifications

Modèle de produit

CSD16411Q3
Fabricant / marque

Luminary Micro/Texas Instruments
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

CSD16411Q3.pdf
Modèle ECAD
Tension - Test

570pF @ 12.5V
Tension - Ventilation

8-VSON (3.3x3.3)
Vgs (th) (Max) @ Id

10 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (Max)

4.5V, 10V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Séries

NexFET™
État RoHS

Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs

14A (Ta), 56A (Tc)
Polarisation

8-PowerVDFN
Autres noms

296-24255-1
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

12 Weeks
Référence fabricant

CSD16411Q3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3.8nC @ 4.5V
type de IGBT

+16V, -12V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

2.3V @ 250µA
Fonction FET

N-Channel
Description élargie

N-Channel 25V 14A (Ta), 56A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Tension drain-source (Vdss)

-
La description

MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

25V
Ratio de capacité

2.7W (Ta)

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livraison
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