CSD13302WT

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Spécifications

Modèle de produit

CSD13302WT
Fabricant / marque

Luminary Micro/Texas Instruments
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-DSBGA
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA
Vgs (Max)

±10V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

4-DSBGA (1x1)
Séries

NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

17.1 mOhm @ 1A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

1.8W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

4-UFBGA, DSBGA
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

35 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

862pF @ 6V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

7.8nC @ 4.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

12V
Description détaillée

N-Channel 12V 1.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

1.6A (Ta)

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CSD13381F4

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Fabricant: Texas Instruments

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