US6M2TR

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Spécifications

Modèle de produit

US6M2TR
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.US6M2TR.pdf
2.US6M2TR.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA
Package composant fournisseur

TUMT6
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

240 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Puissance - Max

1W
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

6-SMD, Flat Leads
Autres noms

US6M2CT
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

80pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

2.2nC @ 4.5V
type de FET

N and P-Channel
Fonction FET

Standard
Tension drain-source (Vdss)

30V, 20V
Description détaillée

Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 1.5A, 1A 1W Surface Mount TUMT6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

1.5A, 1A
Numéro de pièce de base

*M2

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US6T9TR

La description: TRANS 2PNP 30V 1A 6UMT

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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