RZF013P01TL

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Spécifications

Modèle de produit

RZF013P01TL
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

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La description

MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.RZF013P01TL.pdf
2.RZF013P01TL.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TUMT3
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

800mW (Ta)
Emballage

Original-Reel®
Package / Boîte

3-SMD, Flat Leads
Autres noms

RZF013P01TLDKR
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 6V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

2.4nC @ 4.5V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

1.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

12V
Description détaillée

P-Channel 12V 1.3A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

1.3A (Ta)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "RZF013P01TL".

2N7639-GA

La description: TRANS SJT 650V 15A TO-257

Fabricant: GeneSiC Semiconductor

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