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RYE002N05TCL

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RYE002N05TCL
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    800mV @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    EMT3
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
  • Dissipation de puissance (max)
    150mW (Ta)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    SC-75, SOT-416
  • Autres noms
    RYE002N05TCLTR
  • Température de fonctionnement
    150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    26pF @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    0.9V, 4.5V
  • Tension drain-source (Vdss)
    50V
  • Description détaillée
    N-Channel 50V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    200mA (Ta)
CPH3448-TL-W

CPH3448-TL-W

La description: MOSFET N-CH 30V 4A CPH3

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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