RT1A040ZPTR

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Spécifications

Modèle de produit

RT1A040ZPTR
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

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La description

MOSFET P-CH 12V 4A TSST8
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

RT1A040ZPTR.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-TSST
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 4A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

1.25W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-SMD, Flat Lead
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2350pF @ 6V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 4.5V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

1.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

12V
Description détaillée

P-Channel 12V 4A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 8-TSST
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

4A (Ta)

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Ce qui suit est des produits liés à "RT1A040ZPTR".

RT1XL

La description: BNC/TRB CBL PLG REMOVAL TOOL R/A

Fabricant: Bel

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