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RSS075P03TB

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Spécifications

Modèle de produit

RSS075P03TB
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CH 30V 7.5A 8-SOIC
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

RSS075P03TB.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-SOP
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

21 mOhm @ 7.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms

RSS075P03TB-ND
RSS075P03TBTR
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2900pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 5V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

P-Channel 30V 7.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

7.5A (Ta)

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Ce qui suit est des produits liés à "RSS075P03TB".

RSS080N05FU6TB

La description: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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