RSE002N06TL

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Spécifications

Modèle de produit

RSE002N06TL
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 60V 0.25A EMT3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.RSE002N06TL.pdf
2.RSE002N06TL.pdf
3.RSE002N06TL.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

EMT3
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4 Ohm @ 250mA, 10V
Dissipation de puissance (max)

150mW (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

SC-75, SOT-416
Autres noms

RSE002N06TL-ND
RSE002N06TLTR
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

15pF @ 25V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

2.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

N-Channel 60V 250mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

250mA (Ta)

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Ce qui suit est des produits liés à "RSE002N06TL".

RSE002P03TL

La description: MOSFET P-CH 30V 200MA SOT416

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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