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RR2LAM6STFTR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RR2LAM6STFTR
  • Fabricant / marque
    LAPIS Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 600V 2A PMDTM
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.RR2LAM6STFTR.pdf
    2.RR2LAM6STFTR.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.1V @ 2A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    600V
  • Package composant fournisseur
    PMDTM
  • La vitesse
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Séries
    Automotive, AEC-Q101
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    SOD-128
  • Autres noms
    RR2LAM6STFCT
  • Température d'utilisation - Jonction
    150°C (Max)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    20 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 600V 2A Surface Mount PMDTM
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    10µA @ 600V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    2A
  • Capacité à Vr, F
    -

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Ce qui suit est des produits liés à "RR2LAM6STFTR".
XA3S250E-4VQG100Q

XA3S250E-4VQG100Q

La description: IC FPGA 66 I/O 100VQFP

Fabricant: Xilinx
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