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RQ3E080GNTB

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RQ3E080GNTB
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    8-HSMT (3.2x3)
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16.7 mOhm @ 8A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    2W (Ta), 15W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    8-PowerVDFN
  • Autres noms
    RQ3E080GNTBTR
  • Température de fonctionnement
    150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    40 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    295pF @ 15V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    5.8nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    N-Channel 30V 8A (Ta) 2W (Ta), 15W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    8A (Ta)
RQ3G100GNTB

RQ3G100GNTB

La description: MOSFET N-CH 40V 10A TSMT

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RQ3E180AJTB

RQ3E180AJTB

La description:

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RQ3E130BNTB

RQ3E130BNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RQ3E120GNTB

RQ3E120GNTB

La description:

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RQ3E160ADTB

RQ3E160ADTB

La description: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RQ3E150MNTB1

RQ3E150MNTB1

La description: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RQ3E120ATTB

RQ3E120ATTB

La description:

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RQ3E080BNTB

RQ3E080BNTB

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Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RQ3E070BNTB

RQ3E070BNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RQ3E150GNTB

RQ3E150GNTB

La description:

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RQ3E100MNTB1

RQ3E100MNTB1

La description: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RQ3E075ATTB

RQ3E075ATTB

La description:

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RQ3E180BNTB

RQ3E180BNTB

La description:

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RQ3E150BNTB

RQ3E150BNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RQ3E100BNTB

RQ3E100BNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RQ3E180GNTB

RQ3E180GNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 18A 8-HSMT

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RQ3E120BNTB

RQ3E120BNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RQ3E130MNTB1

RQ3E130MNTB1

La description: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RQ3E100GNTB

RQ3E100GNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RQ3C150BCTB

RQ3C150BCTB

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