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905331RF101A2ST-32 imageLAPIS Semiconductor

RF101A2ST-32

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RF101A2ST-32
  • Fabricant / marque
    LAPIS Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 200V 1A MSR
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    RF101A2ST-32.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    870mV @ 1A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    200V
  • Package composant fournisseur
    MSR
  • La vitesse
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Séries
    -
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    25ns
  • Emballage
    Tape & Box (TB)
  • Package / Boîte
    DO-41 Mini, Axial
  • Autres noms
    RF101A2ST-32TB
  • Température d'utilisation - Jonction
    150°C (Max)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 200V 1A Through Hole MSR
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    10µA @ 200V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    1A
  • Capacité à Vr, F
    -

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Ce qui suit est des produits liés à "RF101A2ST-32".
ERJ-S1TJ620U

ERJ-S1TJ620U

La description: RES SMD 62 OHM 5% 1W 2512

Fabricant: Panasonic
En stock
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