RDR005N25TL

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Spécifications

Modèle de produit

RDR005N25TL
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 250V 0.5A SC-96-3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

RDR005N25TL.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TSMT3
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.8 Ohm @ 250mA, 10V
Dissipation de puissance (max)

540mW (Ta)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

SC-96
Autres noms

RDR005N25TLCT
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

70pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

3.5nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

250V
Description détaillée

N-Channel 250V 500mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount TSMT3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

500mA (Ta)

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RDRW1900522BK1

La description: DRAWER 22.1X17.4X5.25" BLACK

Fabricant: Hammond Manufacturing

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