R6020FNJTL

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Spécifications

Modèle de produit

R6020FNJTL
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 600V 20A LPT
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.R6020FNJTL.pdf
2.R6020FNJTL.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

LPTS
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

280 mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (max)

50W (Tc)
Emballage

Original-Reel®
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

R6020FNJTLDKR
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2350pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 20A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount LPTS
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

20A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "R6020FNJTL".

R6021025HSYA

La description: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.

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