R6010ANX

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Spécifications

Modèle de produit

R6010ANX
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

R6010ANX.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220FM
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

-
Dissipation de puissance (max)

50W (Tc)
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-220-3 Full Pack
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 10A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

10A (Ta)

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Ce qui suit est des produits liés à "R6010ANX".

R601003 010S1

La description: IND RUGG CORDSET CAT6 SO UTP

Fabricant: Belden

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