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R6004ENX

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Spécifications
  • Modèle de produit
    R6004ENX
  • Fabricant / marque
    LAPIS Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 600V 4A TO220
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    R6004ENX.pdf
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-220FM
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    980 mOhm @ 1.5A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    40W (Tc)
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    TO-220-3 Full Pack
  • Autres noms
    R6004ENXCT
    R6004ENXCT-ND
  • Température de fonctionnement
    150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    17 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    250pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    600V
  • Description détaillée
    N-Channel 600V 4A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    4A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "R6004ENX".
UBT1H4R7MPD8TA

UBT1H4R7MPD8TA

La description: CAP ALUM 4.7UF 20% 50V THRU HOLE

Fabricant: Nichicon
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