R5207ANDTL

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Spécifications

Modèle de produit

R5207ANDTL
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

R5207ANDTL.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

CPT3
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1 Ohm @ 3.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

40W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

525V
Description détaillée

N-Channel 525V 7A (Ta) 40W (Tc) Surface Mount CPT3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

7A (Ta)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "R5207ANDTL".

BSF024N03LT3GXUMA1

La description: MOSFET N-CH 30V 106A 2WDSON

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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