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QSL12TR

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Spécifications

Modèle de produit

QSL12TR
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS NPN 30V 1A TSMT5
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

QSL12TR.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

350mV @ 25mA, 500mA
Transistor Type

NPN + Diode (Isolated)
Package composant fournisseur

TSMT5
Séries

-
Puissance - Max

500mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

320MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN + Diode (Isolated) 30V 1A 320MHz 500mW Surface Mount TSMT5
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

270 @ 100mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

1A

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "QSL12TR".

2SC4793,WNLF(J

La description: TRANS NPN 1A 230V TO220-3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

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