QH8MA2TCR

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Spécifications

Modèle de produit

QH8MA2TCR
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

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La description

MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.QH8MA2TCR.pdf
2.QH8MA2TCR.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Package composant fournisseur

TSMT8
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 4.5A, 10V
Puissance - Max

1.25W
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

8-SMD, Flat Lead
Autres noms

QH8MA2TCRCT
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

365pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

8.4nC @ 10V
type de FET

N and P-Channel
Fonction FET

Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.5A, 3A 1.25W Surface Mount TSMT8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

4.5A, 3A

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Ce qui suit est des produits liés à "QH8MA2TCR".

DMN2050LFDB-13

La description: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN

Fabricant: Diodes Incorporated

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