IMB2AT110

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Spécifications

Modèle de produit

IMB2AT110
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.IMB2AT110.pdf
2.IMB2AT110.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type

2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur

SMT6
Séries

-
Résistance - Base de l'émetteur (R2)

47 kOhms
Résistance - Base (R1)

47 kOhms
Puissance - Max

300mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

SC-74, SOT-457
Autres noms

IMB2AT110-ND
IMB2AT110TR
SMT6/SC-74/SOT-457
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

250MHz
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA
Numéro de pièce de base

MB2

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "IMB2AT110".

IMB26656M12

La description: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M12

Fabricant: Crouzet

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