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4887500IMB1AT110 imageLAPIS Semiconductor

IMB1AT110

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IMB1AT110
  • Fabricant / marque
    LAPIS Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    IMB1AT110.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Transistor Type
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Package composant fournisseur
    SMT6
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    22 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    22 kOhms
  • Puissance - Max
    300mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    SC-74, SOT-457
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    -
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SMT6
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    56 @ 5mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA
  • Numéro de pièce de base
    MB1

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RNC55H5622BRB14

RNC55H5622BRB14

La description: RES 56.2K OHM 1/8W .1% AXIAL

Fabricant: Dale / Vishay
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