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EMG9T2R

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Spécifications
  • Modèle de produit
    EMG9T2R
  • Fabricant / marque
    LAPIS Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.EMG9T2R.pdf
    2.EMG9T2R.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Transistor Type
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Package composant fournisseur
    EMT5
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    10 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    10 kOhms
  • Puissance - Max
    150mW
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    6-SMD (5 Leads), Flat Lead
  • Autres noms
    EMG9T2RCT
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    250MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    30 @ 5mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA
  • Numéro de pièce de base
    *MG9

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KNP1WSJT-52-0R11

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La description: RES WW 1W 5% AXIAL

Fabricant: Yageo
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