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1145415DTC363TKT146 imageLAPIS Semiconductor

DTC363TKT146

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Spécifications
  • Modèle de produit
    DTC363TKT146
  • Fabricant / marque
    LAPIS Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    DTC363TKT146.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    15V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    80mV @ 2.5mA, 50mA
  • Transistor Type
    NPN - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    SMT3
  • Séries
    -
  • Résistance - Base (R1)
    6.8 kOhms
  • Puissance - Max
    200mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    200MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 15V 600mA 200MHz 200mW Surface Mount SMT3
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    100 @ 50mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA (ICBO)
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    600mA
  • Numéro de pièce de base
    DTC363

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MDB1-25PH017M3

MDB1-25PH017M3

La description: MICRO

Fabricant: Cannon
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