DTC143EUBTL

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Spécifications

Modèle de produit

DTC143EUBTL
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.DTC143EUBTL.pdf
2.DTC143EUBTL.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type

NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur

UMT3F
Séries

-
Résistance - Base de l'émetteur (R2)

4.7 kOhms
Résistance - Base (R1)

4.7 kOhms
Puissance - Max

200mW
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

SC-85
Autres noms

DTC143EUBTLCT
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

250MHz
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3F
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA
Numéro de pièce de base

DTC143

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Mode de paiement

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

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DTC143EUAT106

La description:

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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