DTC124ECAHZGT116

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Spécifications

Modèle de produit

DTC124ECAHZGT116
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.DTC124ECAHZGT116.pdf
2.DTC124ECAHZGT116.pdf
Modèle ECAD
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type

NPN - Pre-Biased + Diode
Package composant fournisseur

SST3
Séries

Automotive, AEC-Q101
Résistance - Base de l'émetteur (R2)

22 kOhms
Résistance - Base (R1)

22 kOhms
Puissance - Max

350mW
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms

DTC124ECAHZGT116CT
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

7 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

250MHz
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 350mW Surface Mount SST3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

56 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

-
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "DTC124ECAHZGT116".

DTC123YETL

La description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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