DTC123JSATP

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Spécifications

Modèle de produit

DTC123JSATP
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DTC123JSATP.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type

NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur

SPT
Séries

-
Résistance - Base de l'émetteur (R2)

47 kOhms
Résistance - Base (R1)

2.2 kOhms
Puissance - Max

300mW
Emballage

Tape & Box (TB)
Package / Boîte

SC-72 Formed Leads
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

250MHz
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole SPT
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA
Numéro de pièce de base

DTC123

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DTC123JU3T106

La description:

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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