DTC115EUAT106

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Spécifications

Modèle de produit

DTC115EUAT106
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.DTC115EUAT106.pdf
2.DTC115EUAT106.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type

NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur

UMT3
Séries

-
Résistance - Base de l'émetteur (R2)

100 kOhms
Résistance - Base (R1)

100 kOhms
Puissance - Max

200mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

SC-70, SOT-323
Autres noms

DTC115EUAT106-ND
DTC115EUAT106TR
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

250MHz
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 20mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

82 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

20mA
Numéro de pièce de base

DTC115

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "DTC115EUAT106".

DTC115TM3T5G

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.26W SOT723

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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