DTC114TSATP

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Spécifications

Modèle de produit

DTC114TSATP
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DTC114TSATP.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type

NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur

SPT
Séries

-
Résistance - Base (R1)

10 kOhms
Puissance - Max

300mW
Emballage

Tape & Box (TB)
Package / Boîte

SC-72 Formed Leads
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

250MHz
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole SPT
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

500nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA
Numéro de pièce de base

DTC114

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Ce qui suit est des produits liés à "DTC114TSATP".

DTC114TM3T5G

La description:

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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DTC114TSATP

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