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2643176DTC113ZCAT116 imageLAPIS Semiconductor

DTC113ZCAT116

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Spécifications
  • Modèle de produit
    DTC113ZCAT116
  • Fabricant / marque
    LAPIS Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.DTC113ZCAT116.pdf
    2.DTC113ZCAT116.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Transistor Type
    NPN - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    SST3
  • Séries
    *
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    10 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    1 kOhms
  • Puissance - Max
    200mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Autres noms
    DTC113ZCAMGT116
    DTC113ZCAT116TR
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    10 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    250MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    33 @ 5mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA

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DIN-032CSE-W-FJ

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La description: CONN DIN SOCKET 32POS VERT GOLD

Fabricant: 3M
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