DTC023EEBTL

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Spécifications

Modèle de produit

DTC023EEBTL
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.DTC023EEBTL.pdf
2.DTC023EEBTL.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

200mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type

NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur

EMT3F (SOT-416FL)
Séries

-
Résistance - Base de l'émetteur (R2)

2.2 kOhms
Résistance - Base (R1)

2.2 kOhms
Puissance - Max

150mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

SC-89, SOT-490
Autres noms

DTC023EEBTLTR
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

40 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

250MHz
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 20mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

-
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA

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Mode de paiement

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

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DTC014TUBTL

La description:

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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