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85135DTA143ECAT116 imageLAPIS Semiconductor

DTA143ECAT116

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Spécifications
  • Modèle de produit
    DTA143ECAT116
  • Fabricant / marque
    LAPIS Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.DTA143ECAT116.pdf
    2.DTA143ECAT116.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Transistor Type
    PNP - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    SST3
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    4.7 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Puissance - Max
    200mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Autres noms
    DTA143ECAMGT116
    DTA143ECAT116TR
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    10 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    250MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    30 @ 10mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA

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MS3450W16-10AY

MS3450W16-10AY

La description: CONN RCPT HSNG MALE 3POS PNL MNT

Fabricant: Amphenol Aerospace Operations
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