DTA113ZSATP

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Spécifications

Modèle de produit

DTA113ZSATP
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DTA113ZSATP.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type

PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur

SPT
Séries

-
Résistance - Base de l'émetteur (R2)

10 kOhms
Résistance - Base (R1)

1 kOhms
Puissance - Max

300mW
Emballage

Tape & Box (TB)
Package / Boîte

SC-72 Formed Leads
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

250MHz
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole SPT
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

33 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA
Numéro de pièce de base

DTA113

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "DTA113ZSATP".

SIT8921AME3-XXN

La description: OSC MEMS

Fabricant: SiTime

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RFQ

Review (1)

Stal***e

2025/05/20

5.0

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DTA113ZSATP

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