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DTA043ZEBTL

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Spécifications
  • Modèle de produit
    DTA043ZEBTL
  • Fabricant / marque
    LAPIS Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.DTA043ZEBTL.pdf
    2.DTA043ZEBTL.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    150mV @ 500µA, 5mA
  • Transistor Type
    PNP - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    EMT3F (SOT-416FL)
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    47 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Puissance - Max
    150mW
  • Emballage
    Original-Reel®
  • Package / Boîte
    SC-89, SOT-490
  • Autres noms
    DTA043ZEBTLDKR
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    40 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    250MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    -
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA

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1808J1000331JFT

1808J1000331JFT

La description: CAP CER 330PF 100V C0G/NP0 1808

Fabricant: Knowles Syfer
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