BSM080D12P2C008

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Spécifications

Modèle de produit

BSM080D12P2C008
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

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La description

SIC POWER MODULE-1200V-80A
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.BSM080D12P2C008.pdf
2.BSM080D12P2C008.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 13.2mA
Package composant fournisseur

Module
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

-
Puissance - Max

600W
Emballage

Tray
Package / Boîte

Module
Température de fonctionnement

175°C (TJ)
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

-
type de FET

2 N-Channel (Dual)
Fonction FET

Silicon Carbide (SiC)
Tension drain-source (Vdss)

1200V (1.2kV)
Description détaillée

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 80A (Tc) 600W Chassis Mount Module
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

80A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "BSM080D12P2C008".

BSM100GD60DLCBOSA1

La description: IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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